Войти
> > Два новых патента с Galaxy S5: оперативная память и внутренняя память
  • 25.08.2013
  • Просмотров: 4 442
  • Обсуждений: 3

Два новых патента с Galaxy S5: оперативная память и внутренняя память

Два новых патента с Galaxy S5: оперативная память и внутренняя памятьНесколько дней назад в одной из статей мы как-то отметили, что в ближайшее время будет сильный скачок вперед в разработке мобильных камер, причем новая технология выйдет за рамки простого увеличения мегапикселей. Теперь же можно говорить и о том, что настала очередь для продвижения новых технологий для использования новой оперативной памяти и усовершенствованной внутренней памяти.

Samsung уже начал массовое производство чипов последнего поколения, емкость которых позволяет увеличить объем до 384Гб и все это благодаря NAND 3D. Другими словами, модуль будет содержать в себе до 24 чипов объемом по 16Гб, которые будут «укладываться» вертикально, однако толщина при этом будет увеличиваться очень незначительно.

Другая большая новость касается оперативной памяти, так как мы уже знаем, что Samsung Galaxy S5 получит 3Гб DDR3 оперативной памяти, которая создана уже по 20нм-техпроцессу. Почему это настолько важно? Ну, более опытные пользователи уже знают, что во многих случаях именно оперативная память становится более важной, чем даже производительность процессора, в особенности при обработки процессов при многозадачности.

Все это и еще многое другое нас ожидает в Samsung Galaxy S5, который, как мы надеемся, все же будет уже из алюминия и углеродного волокна. Однако если все ожидания станут реальностью, то цена флагмана наверняка будет выше, чем цена на Galaxy S4.

Также подписывайтесь на наши страницы Вконтакте, Facebook, Twitter или Google+, чтобы первыми узнавать новости из мира Samsung и Android.
Нашли ошибку? Выделите ее и нажмите Ctrl+Enter

Добавить комментарий

Подтвердите что вы не робот:

Комментарии (3)

    • 26 августа 2013 01:22
    Нет, это опечатка, имелось ввиду 17 ГБ/с, гига-байт в секунду.
    Сейчас память способно работать до 12Гб/c.
    • 26 августа 2013 00:53
    • SGS4
    • I9500XXUFNA6
    Цитата: Шурик
    скорость достигнет 16,7 Гбит
    Видимо, имелось в виду 16,7 Гбит/с
    • 26 августа 2013 00:36
    В Samsung Galaxy S4 уже используется память LpDDR3 изготовленной по 20нм техпроцессу, реально в случае с Samsung это означает диапазон от 20-29 нм.
    При этом Lp обозначается низкое энерго-потребление, примерно на 20-30% процентов меньше чем стандартный DDR-3. В Galaxy Note 3 будет использоваться такая же память класса Lpddr3 с более высокой компоновкой, количество памяти на кристалле увеличится с 2 до 3 Гб.


    В 2014 году Samsung планирует освоить техпроцесс до 16 нм, будет ли это вертикальная или стандартная планарная компоновка пока неизвестно, память останется в рамках стандарта Lpddr3 скорее всего увеличится частота шины, а с ней и скорость работы,
    предположу, что скорость достигнет 16,7 Гбит.

    По поводу Nand flesh, не думаю, что размер радикально изменится, возможно добавится версия со 128Гб. Вертикальная компоновка(или 3D) не является, чем то
    по настоящему новым, еще 10 лет назад все большие производители памяти, такие как Samsung, SK Hynix, Epida, Micron имели опытные(а некоторые безуспешно пускали в серию) образцы многослойной flash. На рынке flash производители достигли порога 10-19 нм, дальнейшее уменьшение весьма затратно(к тому же такой тип памяти не устойчив), отсюда и изобретение новых-старых хорошо обкатанных технологий.
    Проблема не в технологии, а проблема не в желании производителей опускать цену.
    Пока цена будет высока количество памяти в смартфонах будет расти очень медленными темпами, пока рынок памяти фактически захвачен тремя компаниями Samsung,Hynix,Micron.И пока не появится каких то альтернатив Nand,типа ReRam,это болото не сдвинется с места.
    Поэтому предположу, что в Galaxy S 5 будет по прежнему 16/32/64 Гб внутренней памяти, возможно изготовленный с вертикальной компоновкой, что обеспечит не более 20% прибавки скорости.Техпроцесс памяти скорее всего будет 40нм, что удешевит себестоимость памяти для Samsung, но не для потребителя.