Войти
> > Samsung начал массовое производство 3D вертикальных NAND флэш-чипов
  • 6.08.2013
  • Просмотров: 2 579

Samsung начал массовое производство 3D вертикальных NAND флэш-чипов

Samsung начал массовое производство 3D вертикальных NAND флэш-чипов


Samsung объявил о том, что компания уже начинает массовое производство 3D «вертикальных NAND» (V-NAND) флэш-чипов, чтобы обойти ограничения существующих технологий NAND флэш. Вместо традиционной плоской структуры Samsung начал укладывать компоненты на чипе вертикально – до 24 слоев, что позволяет создавать чипы с более плотной комплектацией, что приведет к созданию еще более компактных устройств.

Samsung начал массовое производство 3D вертикальных NAND флэш-чипов


Переход на V-NAND имеет ряд преимуществ. Новые чипы от 2 до 10 раз надежнее и в 2 раза производительнее по сравнению с существующими 10 нм чипами флэш-памяти. Наверняка вы помните, как началась тенденция увеличения количества ядер в процессорах вместо того, чтобы наращивать частоту на ядре. Ведь в какой-то момент предел частоты был достигнут. В значительной степени сейчас тот же эффект, когда производители уже вынуждены переходить на многоуровневую структуру, которая позволяет очень сильно шагнуть вперед по производительности, хотя пока уже есть ограничение в уменьшении размера архитектуры.

Samsung начал массовое производство 3D вертикальных NAND флэш-чипов


Ожидается, что чипы V-NAND появятся в потребительских твердотельных накопителях SSD для увеличения доступной памяти уже в ближайшем будущем (в мобильных устройствах).

Также подписывайтесь на наши страницы Вконтакте, Facebook, Twitter или Google+, чтобы первыми узнавать новости из мира Samsung и Android.
Нашли ошибку? Выделите ее и нажмите Ctrl+Enter

Добавить комментарий

Подтвердите что вы не робот: