Войти
> > Samsung заплатит $400 млн за нарушение патента на FinFET-транзисторы
  • 18.06.2018
  • Просмотров: 882

Samsung заплатит $400 млн за нарушение патента на FinFET-транзисторы

Южнокорейскую компанию Samsung вновь оштрафовали. На этот раз за нарушение патента, принадлежащего филиалу патентного бюро Корейского института передовых технологий (KAIST IP US) в Далласе.

Samsung заплатит $400 млн за нарушение патента на FinFET-транзисторы


17 июня текущего года техасский окружной суд признал Samsung Electronics виновной в нарушении патента и постановил взыскать с южнокорейского гиганта штраф в размере 400 миллионов долларов США. Патент, о котором идёт речь, касается технологии FinFET, позволяющей повысить производительность чипа и снизить его энергопотребление. Представители Корейского института передовых технологий отмечают, что изначально Samsung отнеслась к разработке скептически, но после того, как ею заинтересовался чипмейкер Intel, изменила своё отношение к этой технологии и начала выпуск полупроводниковых изделий с использованием FinFET-транзисторов.

Компания Samsung не считает себя виновной в нарушении патента и намерена обжаловать решение, подав на апелляцию.
Кстати, в конце мая суд в Калифорнии обязал Samsung выплатить в пользу компании Apple 539 миллионов долларов за нарушение авторских прав. Судебные тяжбы по этому вопросу длились с 2011 года, когда Apple впервые обвинила своего корейского конкурента в копировании функций iPhone.

Также подписывайтесь на наши страницы Вконтакте, Facebook или Twitter, чтобы первыми узнавать новости из мира Samsung и Android.
Нашли ошибку? Выделите ее и нажмите Ctrl+Enter

Добавить комментарий

Подтвердите что вы не робот:
Действительным обладателем товарных знаков № 441897 и 450351 является Самсунг Электроникс Ко., Лтд. Сайт galaxy-droid.ru не связан с указанной компанией и является независимым информационным ресурсом.